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低介電(diàn)正切、高强度、高纯度
氧化铝(AO479U)

低介電(diàn)正切、高强度、高纯度 氧化铝(AO479U)

高纯度氧化铝(AO479U)不仅具(jù)有(yǒu)优异的耐热性、耐腐蚀性、耐等离子性,而且还实现了低介電(diàn)正接(tanδ)和高强度的兼顾。本材质(zhì),因為(wèi)介電(diàn)正接小(xiǎo),能(néng)降低高频条件下的功率损失。另外,由于机械强度高,发热和真空时的部件损坏少。因此,由于能(néng)够节省人力进行调试,并保证工(gōng)艺的稳定运行,所以作(zuò)為(wèi)半导體(tǐ)制造设备的构件被广泛采用(yòng)。

特長(cháng)

  • 低介電(diàn)正接与高强度并存
    高纯度的同时,实现了低介電(diàn)正接和高强度的兼顾。
  • 支持广泛的频域
    在1mhz ~ 8.5GHz频带的广泛频率范围内,介電(diàn)正接表示低值。
  • 厚壁产(chǎn)品也有(yǒu)稳定性能(néng)
    40mm左右的厚壁产(chǎn)品也包含厚度方向的中(zhōng)央部分(fēn),介電(diàn)正接显示稳定低值。

加工(gōng)示例

使用(yòng)Radio Frequency(高频)的半导體(tǐ)制造设备的绝缘部件

  • 底盘

    底盘

    Φ400×20t (mm)

  • 绝缘环

    绝缘环

    Φ400×50t (mm)

  • 腔室构成部件

    腔室构成部件

    Φ600×20t (mm)

※上述是加工(gōng)案例。上述以外的尺寸·形状也能(néng)对应。请随时咨询。

材料数据比较

与本公(gōng)司低介電(diàn)正接、高强度、高纯度氧化铝(AO479U)、本公(gōng)司传统材料低介電(diàn)正接氧化铝(AO479Q)以及本公(gōng)司高纯度氧化铝(AO479M)的主要特性比较

材质(zhì)
材质(zhì)编号(新(xīn)标记)
材质(zhì)编号(旧标记)
低介電(diàn)正接、高强度、高纯度氧化铝   低介電(diàn)正接氧化铝 高纯度氧化铝
AO479U   AO479Q AO479M
A479U   A479Q A479M
含有(yǒu)量(Al2O3 99.6   99.3 99.5
机械性能(néng) 维氏硬度 HV9.807N GPa 15.2   15.7 15.7
3点弯曲强度 MPa 380   290 370
杨氏模量 GPa 387   377 370
热性能(néng) 平均線(xiàn)膨胀系数 40~400℃ × 10-6/K 7.2   7.0 7.2
导热率 20℃ W/(m・K) 32   30 32
電(diàn)气性能(néng) 表面電(diàn)阻值 1MHz × 10-4 ※请参照下述,介质(zhì)正接(tanδ)的测定数据详细。
10-100MHz
8.5GHz
體(tǐ)积電(diàn)阻率 20℃ Ω・cm > 1014   > 1014 > 1014

详细测量数据

電(diàn)介质(zhì)正接(tanδ)

本公(gōng)司的低介電(diàn)正接、高强度、高纯度氧化铝(AO479U),在广泛的频率范围内,介電(diàn)正接表示低值。另外,即使是40mm左右的厚产(chǎn)品,包括产(chǎn)品的中(zhōng)央部分(fēn)在内,介電(diàn)正接也显示出稳定的低值。

 

不同频率、不同材质(zhì)、不同厚度的介電(diàn)正切测量

测定方法

将烧好的厚度10 ~ 40mm的产(chǎn)品,从中(zhōng)央附近切出厚度1mm的测试片进行确认。

测定方法
测量装(zhuāng)置
1MHz: C仪表(桥接電(diàn)路法)
13.56MHz: 阻抗分(fēn)析器(高频電(diàn)流電(diàn)压法)
8.5GHz: 网络分(fēn)析器(腔谐振器法)
测定方法

AO479U(A479U)
AO479Q(A479Q)
AO479M(A479M)

强度

本公(gōng)司低介電(diàn)正接、高强度、高纯度氧化铝(AO479U)在与传统材料同等的低介電(diàn)正接的同时,具(jù)有(yǒu)超过高纯度氧化铝(AO479M)的高强度。

 
强度

如果您正在考虑寻找能(néng)在耐热性、耐腐蚀性、耐等离子體(tǐ)性的苛刻的环境下具(jù)有(yǒu)高强度、低介電(diàn)正切产(chǎn)品,以及通过降低功率损失实现稳定生产(chǎn),欢迎前来咨询。

本页(yè)记载的数值全部是公(gōng)司内部测定的代表值,不是产(chǎn)品规格的保证值。

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